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龙图腾网获悉浙江同芯祺科技有限公司申请的专利一种用于晶圆的沟槽晶体管加工方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115064436B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210641596.8，技术领域涉及：H10D64/01；该发明授权一种用于晶圆的沟槽晶体管加工方法是由严立巍;文锺;符德荣;陈政勋设计研发完成，并于2022-06-07向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种用于晶圆的沟槽晶体管加工方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种用于晶圆的沟槽晶体管加工方法，涉及晶圆加工技术领域。所述一种用于晶圆的沟槽晶体管加工方法包括以下步骤：S1、对背面带有氧化硅的晶圆上，采用化学气象沉积法形成一层氮化硅沉积层，然后再对晶圆进行蚀刻，蚀刻掉晶圆上的一层氮化硅沉积层，使得氮化硅沉积层在氧化硅的两侧形成侧壁。本发明提供的一种用于晶圆的沟槽晶体管加工方法通过在晶圆上制作接触孔时，侧壁可以对接触孔和沟槽中的多晶硅之间提供绝缘保护，避免接触孔中填充金属时因为接触孔位置偏差导致金属和多晶硅之间产生导电，使得在晶圆背面制作晶体管和金属时，降低设备的精度需求，即使蚀刻位置产生偏差，也不会影响到晶圆的制作。

本发明授权一种用于晶圆的沟槽晶体管加工方法在权利要求书中公布了：1.一种用于晶圆的沟槽晶体管加工方法，其特征在于，包括以下步骤： S1、对背面带有氧化硅的晶圆上，采用化学气象沉积法形成一层氮化硅沉积层，然后再对晶圆进行蚀刻，蚀刻掉晶圆上的一层氮化硅沉积层，使得氮化硅沉积层在氧化硅的两侧形成侧壁，最后再对晶圆上方位于侧壁之间的位置进行蚀刻，使得晶圆上方形成沟槽； S2、对步骤S1中得到的晶圆进行氧化，使得晶圆背面和沟槽内壁的形成一层闸极氧化硅层，然后再对晶圆背面进行蚀刻，蚀刻掉晶圆背面和沟槽中的闸极氧化硅层，最后再向晶圆的背面采用离子植入法进行离子植入； S3、对步骤S2中得到的晶圆沟槽的内壁单独进行氧化，以在沟内壁形成致密的闸极氧化硅层； S4、对于步骤S3中得到的晶圆，采用化学气相沉积法在晶圆背面和沟槽内部形成一层多晶硅，然后再采用CMP工艺使晶圆背面的多晶硅顶部平坦化； S5、对步骤S4中得到的晶圆背面进行蚀刻，蚀刻掉位于晶圆背面的多晶硅，然后再采用化学气相沉积法在晶圆背面沉积一层氮氧化硅； S6、对于步骤S5中得到的晶圆，采用化学气相沉积法在氮氧化硅上方沉积一层氧化硅层，然后在采用CMP工艺使氧化硅层的顶部平坦化； S7、对于步骤S6中得到的晶圆，在氧化硅层上方进行蚀刻，蚀刻到氮氧化硅表面，然后再依次蚀刻掉氧化硅层开口下方的氮氧化硅、氧化硅和晶圆顶部的部分，在晶圆顶部形成接触孔； S8、在步骤S7中晶圆顶部所形成的接触孔底部采用离子植入法进行离子植入，然后再向接触孔中填充金属； 在所述步骤S2和步骤S3中，对晶圆的氧化和沟槽内壁的氧化均采用氧化炉进行氧化； 在所述步骤S2中，对晶圆背面进行蚀刻，蚀刻掉晶圆背面的闸极氧化硅层时，晶圆背面的氧化硅顶部也会被蚀刻掉一部分； 在所述步骤S8中，在晶圆背面氧化硅层上方的位置进行蚀刻时，需要对晶圆进行显影，其步骤为首先在晶圆的表面涂布一层光阻，再进行光照曝光，在晶圆表面形成部分曝光，部分未进行曝光的图案，再经过显影，使得未曝光的区域被光阻遮盖。

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