美光科技公司B·H·拉姆获国家专利权
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龙图腾网获悉美光科技公司申请的专利具有选择性命令延迟的半导体装置及相关联方法和系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114787923B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080085460.2，技术领域涉及：G11C11/406；该发明授权具有选择性命令延迟的半导体装置及相关联方法和系统是由B·H·拉姆;S·M·希尔德;K·L·马约尔;G·哈韦尔设计研发完成，并于2020-11-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本具有选择性命令延迟的半导体装置及相关联方法和系统在说明书摘要公布了：描述了存储器装置、包含存储器装置的系统以及操作存储器装置的方法，其中存储器装置经配置以将可变延迟添加到命令。可由主机装置例如，测试设备使用所述存储器装置的测试模式提供所述可变延迟。替代地，所述可变延迟可存储于所述存储器装置的非易失性存储器NVM组件中。另外，可设定所述存储器装置的模式寄存器以指示所述命令与存储于所述NVM组件中的所述可变延迟相关联。另外，所述存储器装置可包含经配置以将所述可变延迟添加到所述命令的延迟组件。此类可变延迟便于跨多个存储器装置交错地执行所述命令，以便避免或缓解与从连接到所述存储器装置的电源汲取的瞬时、大量的电流有关的问题。
本发明授权具有选择性命令延迟的半导体装置及相关联方法和系统在权利要求书中公布了：1.一种半导体存储器装置，其包括： 存储器阵列； 第一延迟组件，其存储第一延迟，且经配置以对涉及所述存储器阵列的第一命令产生所述第一延迟；以及 与所述存储器阵列和所述第一延迟组件耦合的外围电路，所述外围电路经配置以： 从主机装置接收所述第一命令； 确定所述半导体存储器装置的测试模式是被激活还是被去激活；以及 在所述测试模式被激活时启用所述第一延迟组件，并且在所述测试模式被去激活时绕过所述第一延迟组件，其中启用所述第一延迟组件包括激活启用信号，所述启用信号启用被配置为具有所述第一延迟的所述第一延迟组件，并使多路复用器在绕过所述第一延迟组件的命令的非延迟版本和由所述第一延迟组件输出的所述命令的延迟版本之间选择，并且其中所述第一延迟与被配置为在第二半导体存储器装置的第二延迟组件处的第二延迟不同，所述第二半导体存储器装置与所述半导体存储器装置耦合同一电源。
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