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龙图腾网获悉西安电子科技大学申请的专利一种双栅铁电晶体管、制备方法及数据擦写及读出方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114530503B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210089687.5，技术领域涉及：H10D64/27；该发明授权一种双栅铁电晶体管、制备方法及数据擦写及读出方法是由彭悦;肖文武;张悦媛;韩根全设计研发完成，并于2022-01-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种双栅铁电晶体管、制备方法及数据擦写及读出方法在说明书摘要公布了：本发明属于晶体管技术领域，公开了一种双栅铁电晶体管、制备方法及数据擦写及读出方法，包括衬底和沟道，所述沟道设置在衬体上方且位于衬体的中部，所述沟道两侧分别设置有源极区和漏极区；所述源极区上设置有源电极，所述漏极区上设置有漏电极，所述沟道上方从下到上依次设置有绝缘层、下栅电极、铁电栅介质层和上栅电极。有益效果：本发明的双栅铁电场晶体管通过在上栅电极和下栅电极间加脉冲实现擦写过程，避免电压落在绝缘层上；进而避免绝缘层上电场过大导致绝缘层击穿，提高了晶体管的抗疲劳特性；还能避免绝缘层分压，从而减小铁电场效应晶体管的编程和擦除电压以及工作电压。

本发明授权一种双栅铁电晶体管、制备方法及数据擦写及读出方法在权利要求书中公布了：1.一种双栅铁电晶体管，其特征在于，包括衬底和沟道，所述沟道设置在衬体上方且位于衬体的中部，所述沟道两侧分别设置有源极区和漏极区；所述源极区上设置有源电极，所述漏极区上设置有漏电极，所述沟道上方从下到上依次设置有绝缘层、下栅电极、铁电栅介质层和上栅电极； 所述上栅电极和下栅电极为环形栅或鳍形栅，且所述上栅电极的长度与下栅电极的长度比值大于零小于一； 所述衬底的材料为Ge、Si0.55Ge0.45或Si； 所述双栅铁电晶体管用于执行一种数据擦写及读出方法，包括： 所述双栅铁电晶体管在进行数据写入时：在上栅电极和下栅电极之间施加正脉冲电压，源电极接地，漏电极和下栅电极电位保持一致，此时上栅电极为高电平、漏电极和下栅电极为低电平，实现数据写入； 所述双栅铁电晶体管在进行数据擦除时：在上栅电极和下栅电极之间施加负脉冲电压，源电极接地，漏电极与下栅电极电位保持一致，此时上栅电极为低电平，下栅电极为高电平，漏电极为高电平，实现数据擦除； 所述双栅铁电晶体管在进行数据读出时，将下栅电极悬空，通过上栅电极、源极、漏极读出电流，此时上栅电极为高电平，漏电极为高电平，源电极接地，读取源漏电流，判断存储状态； 所述绝缘层为SiO2绝缘层，所述上栅电极和下栅电极的材料为TaN，所述TaN通过磁控溅射工艺在氮气和氩气环境下、以固体Ta作为溅射靶、1×10-7-1.5×10-7pa压强下生长，厚度为5-100nm。

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