联华电子股份有限公司王慧琳获国家专利权
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龙图腾网获悉联华电子股份有限公司申请的专利半导体元件及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114335331B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011083857.6，技术领域涉及：H10N50/01；该发明授权半导体元件及其制作方法是由王慧琳;许博凯;范儒钧;许清桦;林奕佑;陈宏岳设计研发完成，并于2020-10-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体元件及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种半导体元件及其制作方法，其中该制作半导体元件的方法为，首先形成一第一金属间介电层于基底上以及金属内连线于第一金属间介电层内，然后形成磁性隧穿结magnetictunnelingjunction,MTJ以及一上电极于金属内连线上，形成间隙壁于MTJ以及上电极旁，形成一第二金属间介电层环绕间隙壁，形成一遮盖层于上电极、间隙壁及第二金属间介电层上，再图案化遮盖层以形成保护盖于上电极及间隙壁上。
本发明授权半导体元件及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种制作半导体元件的方法，其特征在于，包含： 形成磁性隧穿结magnetictunnelingjunction,MTJ和上电极于基底上； 形成间隙壁于该磁性隧穿结和该上电极旁；以及 形成保护盖于该磁性隧穿结、该上电极以及该间隙壁上，其中该上电极包括顶部、位于该顶部两侧的侧壁，以及位于该顶部与该侧壁之间的倾斜壁，该保护盖包括导电材料，该保护盖直接接触该上电极的倾斜壁，但不设置于该上电极的顶部上。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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