华为技术有限公司郑健华获国家专利权
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龙图腾网获悉华为技术有限公司申请的专利一种成像器件、传感器以及电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114175275B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201980098775.8，技术领域涉及：H10D30/60；该发明授权一种成像器件、传感器以及电子设备是由郑健华;黄婷婷;慈朋亮设计研发完成，并于2019-07-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种成像器件、传感器以及电子设备在说明书摘要公布了：本申请提供了一种成像器件、传感器以及电子设备，该成像器件包括半导体衬底，半导体衬底的两侧设置第一阱和第二阱，半导体衬底的表面依次设置有第一绝缘介质层、浮栅和第二绝缘介质层，浮栅位于第一绝缘介质层和第二绝缘介质层之间形成的容纳腔内，第一绝缘介质层设置有至少一个开窗，浮栅和第一阱通过开窗连接；第二阱内包括沟道区域，沿远离沟道区域的方向，沟道区域的表面依次设置有第一绝缘介质层、浮栅和第二绝缘介质层。第一阱和浮栅经由开窗直接相连，则使得电荷经由开窗直接转移至浮栅中，无需通过遂穿的方式进行转移，提高了成像器件的满阱容量，进而提高了电荷转移的效率以及所获取到的图像的质量。
本发明授权一种成像器件、传感器以及电子设备在权利要求书中公布了：1.一种成像器件，其特征在于，包括半导体衬底，所述半导体衬底的两侧分别通过离子注入掺杂设置第一阱和第二阱，所述半导体衬底和所述第二阱具有第一掺杂类型，所述第一阱具有第二掺杂类型； 所述半导体衬底的表面依次设置有第一绝缘介质层、浮栅和第二绝缘介质层，所述浮栅位于所述第一绝缘介质层和所述第二绝缘介质层之间形成的容纳腔内，所述第一绝缘介质层设置有至少一个开窗，所述浮栅和所述第一阱通过所述开窗连接； 所述第二阱内包括沟道区域，沿远离所述沟道区域的方向，所述沟道区域的表面依次设置有所述第一绝缘介质层、所述浮栅和所述第二绝缘介质层，且所述沟道区域的阈值电压的大小与所述浮栅所存储的电荷的数量对应； 所述第一绝缘介质层和所述第一阱之间设置有隔离介质层。
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