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龙图腾网获悉珠海越亚半导体股份有限公司申请的专利混合嵌埋封装结构及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113808954B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110914695.4，技术领域涉及：H10W70/05；该发明授权混合嵌埋封装结构及其制作方法是由陈先明;冯磊;黄本霞;洪业杰设计研发完成，并于2021-08-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本混合嵌埋封装结构及其制作方法在说明书摘要公布了：本申请公开了一种混合嵌埋封装结构及其制作方法，该结构包括：基板，基板设置有第一绝缘层、导通铜柱、埋芯空腔和第一线路层；第一电子器件，设置在埋芯空腔内部，端子面朝向基板底面；第二电子器件，设置在第一电子器件的背面，端子面朝基板顶面；第二绝缘层，覆盖填充所述埋芯空腔和所述基板的上层，并露出局部第一线路层以及局部第二电子器件或者局部第一电子器件背面；第二线路层，电性连接导通铜柱和第一电子器件的端子；导线，电性连接第一线路层和第二电子器件的端子；保护罩，设置在基板的顶面。本申请的封装结构及其制作方法将嵌埋封装与WB封装相结合，对封装的电子器件等元器件选择性进行嵌埋封装或者WB封装的方式，可以缩小封装体积、降低生产成本、缩短加工周期。

本发明授权混合嵌埋封装结构及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种混合嵌埋封装结构制作方法，其特征在于，包括以下步骤： 制作基板，所述基板包括第一绝缘层，贯穿所述第一绝缘层的导通铜柱，开设在所述第一绝缘层上的埋芯空腔和与所述导通铜柱电性连接的第一线路层； 在所述基板的底部设置支撑件，所述支撑件用于预固定电子器件组件； 在所述埋芯空腔对应的所述支撑件内侧预固定所述电子器件组件，所述电子器件组件包括第一电子器件和第二电子器件，所述第二电子器件设置在所述第一电子器件的背面，且所述第一电子器件的端子面朝向所述支撑件，所述第二电子器件的端子面背向所述第一电子器件； 对所述电子器件组件进行封装，并露出局部所述第一线路层以及第二电子器件的端子，形成第二绝缘层； 去除所述支撑件； 在所述基板的底部制作第二线路层； 打线，将所述第二电子器件的端子和所述第一线路层连接； 所述制作基板的具体步骤包括： 准备一承载板，所述承载板从下往上依次包含核心层、第一金属层、第二金属层、蚀刻阻挡层和第一金属种子层； 在所述第一金属种子层的表面制作第一光阻层，所述第一光阻层设置有导通铜柱开窗和牺牲铜柱开窗； 在所述导通铜柱开窗和牺牲铜柱开窗位置分别制作导通铜柱和牺牲铜柱； 去除所述第一光阻层； 层压绝缘层，覆盖铜柱，减薄绝缘层，露出所述导通铜柱和所述牺牲铜柱端部，形成所述第一绝缘层； 在露出铜柱的表面制作第二金属种子层； 在所述第二金属种子层表面施加光阻材料，对光阻材料进行曝光及显影，制作第一线路层图形，形成第二光阻层； 线路电镀，去除第二光阻层及外露的第二金属种子层，形成所述第一线路层； 将所述第一金属层和所述第二金属层之间进行分离； 去除所述第二金属层、蚀刻阻挡层和第一金属种子层； 双面施加光阻材料，对光阻材料进行曝光及显影，覆盖所述第一线路层及所述导通铜柱，露出所述牺牲铜柱； 去除所述牺牲铜柱，形成所述埋芯空腔。

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