东京毅力科创株式会社岩下泰治获国家专利权
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龙图腾网获悉东京毅力科创株式会社申请的专利基片处理装置和基片处理方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113725117B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110527440.2，技术领域涉及：H10P72/00；该发明授权基片处理装置和基片处理方法是由岩下泰治;香川兴司;天井胜;森川胜洋设计研发完成，并于2021-05-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本基片处理装置和基片处理方法在说明书摘要公布了：本发明提供能够利用臭氧水高效地处理基片的基片处理装置和基片处理方法。本发明的一个方式的基片处理装置包括基片旋转部、臭氧水释放部、加压部和控制部。基片旋转部保持基片并使之旋转。臭氧水释放部具有基片的半径以上的长度，能够对基片释放臭氧水。加压部在比臭氧水释放部靠上游侧处将臭氧水加压到比大气压高的压力。控制部控制各部。此外，控制部对由基片旋转部保持的基片旋转释放臭氧水，在释放了臭氧水之后使向基片的臭氧水的释放流量减少。在使臭氧水的释放流量减少之后使对基片释放的臭氧水的释放流量增加。此外，控制部至少在使对基片释放的臭氧水的释放流量减少时，使基片旋转。
本发明授权基片处理装置和基片处理方法在权利要求书中公布了：1.一种基片处理装置，其特征在于，包括： 保持基片并使其旋转的基片旋转部； 臭氧水释放部，其具有所述基片的半径以上的长度，能够对所述基片释放臭氧水； 加压部，其在比所述臭氧水释放部靠上游侧处将臭氧水加压到比大气压高的压力；和 控制各部的控制部， 所述控制部进行控制，以使得： 对由所述基片旋转部保持的所述基片释放臭氧水， 在释放了臭氧水之后使对所述基片释放的臭氧水的释放流量减少， 在使臭氧水的释放流量减少之后使对所述基片释放的臭氧水的释放流量增加， 至少在使对所述基片释放的臭氧水的释放流量减少时，使所述基片旋转。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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