台湾积体电路制造股份有限公司廖忠志获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利静态随机存取存储器单元及半导体装置结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113113056B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110095863.1，技术领域涉及：G11C5/06；该发明授权静态随机存取存储器单元及半导体装置结构是由廖忠志设计研发完成，并于2021-01-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本静态随机存取存储器单元及半导体装置结构在说明书摘要公布了：本公开的静态随机存取存储器SRAM单元包括设置于一基板上的第一p井中的第一下拉装置、第二下拉装置、第一传输闸装置、以及第二传输闸装置；设置于基板上的第二p井中的第三下拉装置、第四下拉装置、第三传输闸装置、以及第四传输闸装置；设置于被设置在第一p井与第二p井之间的n井中的第一上拉装置及第二上拉装置；以及第二下拉装置与第一上拉装置之间的第一着陆垫。第一着陆垫借由第一栅极通孔的路径电性耦接至第二传输闸装置的栅极结构。
本发明授权静态随机存取存储器单元及半导体装置结构在权利要求书中公布了：1.一种静态随机存取存储器单元，包括： 一第一下拉装置、一第二下拉装置、一第一传输闸装置、以及一第二传输闸装置，设置于一基板上的一第一p井中，其中上述第一传输闸装置与上述第一下拉装置共享沿着一第一方向延伸的一第一主动区，其中上述第二传输闸装置及上述第二下拉装置的一第二主动区沿着上述第一方向对准； 一第三下拉装置、一第四下拉装置、一第三传输闸装置、以及一第四传输闸装置，设置于上述基板上的一第二p井中，其中上述第三传输闸装置及上述第三下拉装置的一第三主动区沿着上述第一方向对准； 一第一上拉装置及一第二上拉装置，设置于一n井中，上述n井设置在上述第一p井与上述第二p井之间，其中上述第一上拉装置的一第四主动区沿着上述第一方向延伸，其中上述第一主动区与上述第二主动区以一第一间隔彼此分隔；以及上述第二主动区与上述第四主动区以大于上述第一间隔的一第二间隔彼此分隔；以及 一第一着陆垫，设置于上述第二下拉装置与上述第一上拉装置之间，其中上述第一着陆垫借由一第一栅极通孔的路径电性耦接至上述第二传输闸装置的一栅极结构。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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