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龙图腾网获悉青岛信芯微电子科技股份有限公司申请的专利一种负压放电电路及供电电路获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN224111058U 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-10发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202520547972.6，技术领域涉及：H02M1/32；该实用新型一种负压放电电路及供电电路是由徐鹏;徐娜设计研发完成，并于2025-03-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种负压放电电路及供电电路在说明书摘要公布了：本公开提供的负压放电电路及供电电路中，逻辑电路的第一输出端连接第二MOS管的栅极，第二MOS管的源极连接VDD，第二MOS管的漏极连接第一MOS管的栅极；第一MOS管的源极接地，第一MOS管的漏极用于连接负压放电连接端；第三MOS管的栅极连接不交叠电路的第一输出端，第三MOS管的源极连接VDD；第四MOS管的漏极连接第三MOS管的漏极，第四MOS管的源极接地，第三MOS管和第四MOS管基于不交叠电路的输出导通；第一电容的一端串联于第四MOS管的漏极和第三MOS管的漏极之间，第一电容的另一端串联于第一MOS管的栅极与第二MOS管的漏极之间。便于提升负压供电电路掉电时的放电速度。

本实用新型一种负压放电电路及供电电路在权利要求书中公布了：1.一种负压放电电路，其特征在于，包括： 逻辑电路，所述逻辑电路的第一输入端用于输入第一控制信号，所述逻辑电路逻辑处理所述第一控制信号； 不交叠电路，所述不交叠电路的输入端连接所述逻辑电路的第二输出端； 第二MOS管，所述第二MOS管的栅极连接所述逻辑电路的第二输出端，所述第二MOS管的源极连接VDD； 第一MOS管，所述第一MOS管的栅极连接所述第二MOS管的漏极，所述第一MOS管的源极接地，所述第一MOS管的漏极用于连接负压放电连接端；所述第一MOS管基于所述逻辑电路逻辑处理后的所述第一控制信号在VDD掉电时导通； 第三MOS管，所述第三MOS管的栅极连接所述不交叠电路的第一输出端，所述第三MOS管的源极连接VDD；所述第三MOS管基于所述不交叠电路的第一输出端的输出导通； 第四MOS管，所述第四MOS管的栅极连接所述不交叠电路的第二输出端，所述第四MOS管的漏极连接所述第三MOS管的漏极，所述第四MOS管的源极接地；所述第四MOS管基于所述不交叠电路的第二输出端的输出导通； 第一电容，一端串联于所述第四MOS管的漏极和所述第三MOS管的漏极之间，另一端串联于所述第一MOS管的栅极与所述第二MOS管的漏极之间。

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