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龙图腾网获悉格科微电子(上海)有限公司申请的专利提高满阱容量的图像传感器、电子信息装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114823741B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110066697.2，技术领域涉及：H10F39/18；该发明授权提高满阱容量的图像传感器、电子信息装置是由赵立新;付文;黄琨;彭文冰设计研发完成，并于2021-01-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本提高满阱容量的图像传感器、电子信息装置在说明书摘要公布了：本发明实施例公开了一种提高满阱容量的图像传感器、电子信息装置。该图图像传感器包括：半导体衬底内形成光电二极管；所述光电二极管至少包括第一掺杂层、第二掺杂层和柱状的第三掺杂区；所述第二掺杂层包裹所述第三掺杂区的侧面和底部；所述第一掺杂层包裹所述第二掺杂层的侧面和底部；所述第一掺杂层和所述第二掺杂层形成第一侧向PN结；所述第二掺杂层和所述第三掺杂区形成第二侧向PN结；其中，所述第一掺杂层和所述第三掺杂区导电类型相同，且与所述第二掺杂层导电类型相反。本发明实施例在光电二极管中心部分替换成柱状型的离子掺杂区例如，P型层，这种外延结构的图像传感器不仅能够有效的提高满阱容量，同时可以有效的降低光电二极管中心的耗尽电势，避免残影lag的出现，降低暗电流。

本发明授权提高满阱容量的图像传感器、电子信息装置在权利要求书中公布了：1.一种提高满阱容量的图像传感器，其特征在于，至少包括： 半导体衬底内形成光电二极管； 所述光电二极管至少包括第一掺杂层、第二掺杂层和柱状的第三掺杂区； 所述第二掺杂层包裹所述第三掺杂区的侧面和底部； 所述第一掺杂层包裹所述第二掺杂层的侧面和底部； 所述第一掺杂层和所述第二掺杂层形成第一侧向PN结； 所述第二掺杂层和所述第三掺杂区形成第二侧向PN结； 其中，所述第一掺杂层和所述第三掺杂区导电类型相同，且与所述第二掺杂层导电类型相反； 所述第二掺杂层作为第一电荷存储区，所述图像传感器还包括： 外延层，其形成于所述半导体衬底上； 第一离子注入区，其形成于所述第二掺杂层上方对应的所述外延层内，作为第二电荷存储区；所述第一电荷存储区与所述第二电荷存储区电性连通；其中，至少部分所述第三掺杂区上方对应的所述外延层不存在所述第一离子注入区； 第二离子注入区，其形成于所述外延层表面，作为钉扎层； 所述钉扎层与所述第三掺杂区电性连通；所述钉扎层接地。

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