中国科学院微电子研究所;真芯(北京)半导体有限责任公司金根浩获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院微电子研究所;真芯(北京)半导体有限责任公司申请的专利一种边缘环组件、边缘环更换方法以及静电卡盘获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114520178B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011293552.8，技术领域涉及：H10P72/72；该发明授权一种边缘环组件、边缘环更换方法以及静电卡盘是由金根浩;周娜;李俊杰;李琳;王佳设计研发完成，并于2020-11-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种边缘环组件、边缘环更换方法以及静电卡盘在说明书摘要公布了：本发明公开了一种边缘环组件、边缘环更换方法以及静电卡盘，属于半导体制造技术领域，用以解决现有技术中边缘环的维修和养护的操作复杂、耗时长的问题。本发明的边缘环组件，包括多个沿轴向堆叠的边缘环、驱动边缘环沿轴向运动的升降组件以及用于移动顶部的边缘环的机械手。本发明的边缘环更换方法为开启升降组件，升降组件驱动多个边缘环向上运动，顶部的边缘环移出晶圆制造区域，机械手将顶部的边缘环移至反应室外，位于顶部的边缘环下方且与顶部边缘环相邻的边缘环进入晶圆制造区域，作为新的边缘环，从而完成边缘环的更换。本发明的边缘环组件、边缘环更换方法以及静电卡盘可用于晶圆制造。
本发明授权一种边缘环组件、边缘环更换方法以及静电卡盘在权利要求书中公布了：1.一种边缘环更换方法，其特征在于，采用边缘环组件，所述边缘环组件包括多个沿轴向堆叠的边缘环、驱动边缘环沿轴向运动的升降组件以及用于移动顶部的边缘环的机械手，所述更换方法包括如下步骤： 开启升降组件，升降组件驱动多个边缘环向上运动，顶部的边缘环移出晶圆制造区域，机械手将顶部的边缘环移至反应室外，位于顶部的边缘环下方且与顶部边缘环相邻的边缘环进入晶圆制造区域，作为新的边缘环，从而完成边缘环的更换。
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