TCL科技集团股份有限公司聂志文获国家专利权
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龙图腾网获悉TCL科技集团股份有限公司申请的专利复合材料及其制备方法、发光二极管获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114479827B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011164706.3，技术领域涉及：C09K11/02；该发明授权复合材料及其制备方法、发光二极管是由聂志文设计研发完成，并于2020-10-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本复合材料及其制备方法、发光二极管在说明书摘要公布了：本申请涉及显示技术领域，涉及一种复合材料及其制备方法、发光二极管。本申请提供的制备方法包括：提供包括有量子点、由金属阳离子前驱体提供的金属阳离子以及由阴离子前驱体提供的阴离子的第一混合体系；将第一混合体系进行第一反应，使得金属阳离子和阴离子键合在量子点的表面，且使得键合在量子点表面的金属阳离子形成对应的金属氧化物，获得第二混合体系；在第二混合体系中加入壳层阳离子前驱体，并进行第二反应，以使得由壳层阳离子前驱体提供的壳层阳离子与键合在量子点表面的阴离子结合形成壳层。通过上述方法有效提高了量子点表面的悬挂键的钝化效果，同时使得阴离子键合在量子点表面并充当壳层阴离子源的作用促进壳层的外延生长。
本发明授权复合材料及其制备方法、发光二极管在权利要求书中公布了：1.一种复合材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 提供包括有量子点、由金属阳离子前驱体提供的金属阳离子以及由阴离子前驱体提供的阴离子的第一混合体系； 将所述第一混合体系进行第一反应，使得所述金属阳离子和所述阴离子键合在所述量子点的表面，且使得键合在所述量子点表面的金属阳离子形成对应的金属氧化物，获得第二混合体系； 在所述第二混合体系中加入壳层阳离子前驱体，并进行第二反应，以使得由所述壳层阳离子前驱体提供的壳层阳离子与键合在所述量子点表面的阴离子结合形成壳层； 在进行第二反应的步骤之后，加入所述壳层阳离子前驱体和硫离子前驱体，并进行第三反应，以使得所述壳层阳离子前驱体和所述硫离子前驱体在所述壳层的表面结合形成保护层。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人TCL科技集团股份有限公司，其通讯地址为：516006 广东省惠州市仲恺高新区惠风三路17号TCL科技大厦；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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