长江存储科技有限责任公司朱焜获国家专利权
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龙图腾网获悉长江存储科技有限责任公司申请的专利半导体器件的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113851480B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111114494.2，技术领域涉及：H10B41/35；该发明授权半导体器件的制备方法是由朱焜;李洵;任德营设计研发完成，并于2021-09-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件的制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种半导体器件的制备方法，包括：在衬底上形成第一牺牲层、存储堆叠结构，以及穿过存储堆叠结构和第一牺牲层并延伸至衬底中的沟道结构，沟道结构具有与第一牺牲层相接触的侧壁，形成穿过存储堆叠结构的栅线隔槽，并露出第一牺牲层，向栅线隔槽中通入由四氟化碳和氧气解离而成的第一活性粒子，以清洗第一牺牲层的表面，去除第一牺牲层，并露出侧壁，之后，以第一活性粒子清洗侧壁，本发明提供的半导体器件的制备方法，通过使用第一活性粒子对第一牺牲层表面以及沟道结构侧壁进行清洗，从而避免了第一牺牲层表面和沟道结构侧壁存在的杂质使得第一牺牲层以及沟道结构侧壁的存储层不易被去除的问题出现。
本发明授权半导体器件的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括： 在衬底上形成第一牺牲层、存储堆叠结构，以及穿过所述存储堆叠结构和所述第一牺牲层并延伸至所述衬底中的沟道结构，所述沟道结构具有与所述第一牺牲层相接触的侧壁； 形成穿过所述存储堆叠结构的栅线隔槽，并露出所述第一牺牲层； 向所述栅线隔槽中通入由四氟化碳和氧气解离而成的第一活性粒子，以清洗所述第一牺牲层的表面； 去除所述第一牺牲层，并露出所述侧壁；以及， 以所述第一活性粒子清洗所述侧壁。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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