Document
拖动滑块完成拼图
个人中心

预订订单
商城订单
发布专利 发布成果 人才入驻 发布商标 发布需求

请提出您的宝贵建议,有机会获取IP积分或其他奖励

投诉建议

在线咨询

联系我们

龙图腾公众号
专利交易 商标交易 积分商城 国际服务 IP管家助手 科技果 科技人才 会员权益 需求市场 关于龙图腾 更多
 /  免费注册
到顶部 到底部
清空 搜索
当前位置 : 首页 > 专利喜报 > 三星电子株式会社千志成获国家专利权

三星电子株式会社千志成获国家专利权

买专利卖专利找龙图腾,真高效! 查专利查商标用IPTOP,全免费!专利年费监控用IP管家,真方便!

龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利垂直存储器装置获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN112117279B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-10发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202010227760.1,技术领域涉及:H10B41/27;该发明授权垂直存储器装置是由千志成;白石千设计研发完成,并于2020-03-27向国家知识产权局提交的专利申请。

垂直存储器装置在说明书摘要公布了:提供了一种垂直存储器装置,所述垂直存储器装置包括位于基底上的第一结构。第一结构包括在垂直于基底的上表面的竖直方向上彼此间隔开以形成多个层的栅极图案。第二结构连接到第一结构。第二结构包括电连接到所述多个层中的相应层的栅极图案的垫图案。沟道结构穿过栅极图案。第一接触插塞穿过第二结构,并且与所述多个层中的一个层的垫图案电连接。第一接触插塞与其他层的栅极图案电绝缘。在沟道结构的侧壁和第一接触插塞的侧壁中的每者处包括至少一个弯曲部分。

本发明授权垂直存储器装置在权利要求书中公布了:1.一种垂直存储器装置,所述垂直存储器装置包括: 第一结构,位于基底上,第一结构包括在与基底的上表面垂直的竖直方向上彼此间隔开以形成多个层的栅极图案; 第二结构,连接到第一结构,第二结构包括电连接到所述多个层中的相应层的栅极图案的垫图案; 沟道结构,穿过栅极图案;以及 第一接触插塞,穿过第二结构,并且与电连接到所述多个层中的一个层的栅极图案的垫图案电连接,其中,第一接触插塞与其他层的栅极图案电绝缘, 其中,在沟道结构的侧壁和第一接触插塞的侧壁中的每者处包括至少一个弯曲部分。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社,其通讯地址为:韩国京畿道水原市;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息,力求客观、公正,但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解,仅供参考使用,不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。